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ADRF5130高功率反射式片内电路脚二极管替代器件

发布时间:2019/10/25 10:28:41 访问次数:915

adrf5130

0.7 ghz至3.5 ghz高功率、44 w峰值、硅spdt、反射式开关


财鑫电子科技网公益库存:
ECHU1H103GX5
PMC251
XMC1301-T038F0032 AB
XMC1301-T016F0016 AB
XMC1302-T038X0032 AB
XMC1302T038X0032ABXUMA1
XMC1100-T016F0016 AA
AS3933-BTST
H11N1SR2M
IPD65R1K0CEAUMA1
MC74LCX07DR2G
IPT020N10N3ATMA1
MCIMX283DVM4B
TLE493D-A1B6
TLE493DA1B6HTSA1
OMAP3530ECUSA
SL8203L50B
AT-32011-TR1G
TNY286DG-TL
XQR17V16CC44V
IRFAG50
TLV2221CDBVR
ACPL-790B-000E
ACPL-38JT-000E
FU6831Q
FU6831N
FU6812
LFU6831
ACPL-M72T-500E
ACPL-C797-000E
N32903U1DN
IRS2304STRPBF
IMT4T108
SC1117DG-TL
IPB200N25N3G











功效:

反射式50 Ω设计

低插入损耗:0.6 db

(典型值,2 ghz)

高隔离度:50 db

(典型值,2 ghz)

高功率处理

连续平均功率:43 dbm

峰值功率:46.5 dbm

高线性度

0.1 db压缩(p0.1db):

>46 dbm(典型值)

输出三阶交调截点(ip3):

68 dbm(典型值,2 ghz)

esd额定值

人体模型(hbm):2 kv,2级

充电器件模型(cdm):待定

单正电源

vdd:5 v

正控制,

ttl兼容

vctl: 0 v 或 5 v








应用

蜂窝/4g基础设施

无线基础设施

军事和高可靠性应用

测试设备

引脚二极管替代器件

产品概述:

adrf5130

是一款高功率、

反射式、

0.7 ghz至3.5 ghz、

单刀双掷(spdt)硅开关,

采用无引脚、

表贴封装

开关非常适合高功率

蜂窝基础设施应用,

如长期演进(lte)基站。

具有43 dbm(典型值)高功率处理能力

0.6 db低插入损耗、

68 dbm(典型值)输入线性度三阶交调截点

和46 dbm下的0.1 db压缩点(p0.1db)。

片内电路在5 v单正电源电压下工作,

典型偏置电流为1 ma,

使其成为基于引脚二极管开关

理想替代器件。

采用符合rohs标准

紧凑型24引脚、

4 mm × 4 mm

lfcsp封装。

(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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