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 LTC1290CMJ触发器的内部逻辑状态2019/10/26 12:33:37
LTC1290CMJ有时只使用限定性符号不能充分说明逻辑单元的各输入之间,各输出之间或输入与输出之间的关系,为此,采用关联标注法加以补充说明.关联标注法引用"影响"和"受影响"两个...[全文]
RTD14024F 输出译码电路2019/10/25 21:24:24
RTD14024F结构级描述,前面介绍了用HDL中的过程语句,对交通灯控制系统的功能进行寄存器传输级描述。使用开发软件中的逻辑综合工具对其进行编译,就可以获得等效的门级电路描述。也可以根据构成电...[全文]
TAS5261DKDR 寄存器传输语言2019/10/25 21:17:52
TAS5261DKDR第三部分定时器的HDL编写,可以根据ASM图或例10.3.1所示寄存器传输语言的描述进行。其工作过程由RESET和St控制。RESET信号使定时器清零后开始计数。st是由控...[全文]
ST6242Q6/Z8外部系统时钟和传感器信号2019/10/25 12:28:35
ST6242Q6/Z8现以一个交通灯控制系统为例,说明ASM图法的设计过程。至于系统的电路实现方法很多,这里只介绍两种方法,一种是用中、小规模集成电路来实现,另一种是用可编程逻辑器件来实现,将在...[全文]
ZC99104FU 等效电阻变化2019/10/24 20:35:45
ZC99104FU指大信号工作状态下,模拟输出电压的最大变化率。通常以V/us为单位表示。该参数与运放的摆率sR类似。温度系数,这是指在输人不变的情况下,输出模拟电压随温度变化产生...[全文]
SN74LV08DB 按动开关键帽2019/10/22 12:04:09
SN74LV08DB一个CMOs存储单元如图题7.2.1所示,试分析其工作原理。设同步SRAM工作在丛发模式下,若数据写人的首地址为0094H,问接下来的3个数据将被写人的存储单元...[全文]
SN74LS132AN引脚间的电容2019/10/21 8:48:58
SN74LS132AN除了读、写操作可以对存储单元进行刷新外,刷新操作也可以通过只选通行选线来实现。例如,当行选线X为高电平,且WE亦为高电平时,C上的数据经T到达位线B,然后经输入缓冲器对存储...[全文]
ST72F561K9TC并励式直流发电机2019/10/20 9:37:59
ST72F561K9TC强度不与励磁电流成正比,这是因为磁路的磁阻随磁化程度的变化而变化。当磁轭和电枢铁心中的磁通密度增加时,其导磁率减小。所以磁路的磁阻将增加,这样就使发电机的输出电压与励磁电...[全文]
FBL-VN1-LL01-0移位寄存器的Verilog建模2019/10/19 16:26:21
FBL-VN1-LL01-0在4.6节和5.5节分别介绍了用Verilog描述组合电路和触发器的方法,本节将在前几节的理论和实践基础上讨论时序电路的描述方法。组合电路可以在逻辑门级通过调用内...[全文]
MSP3400C-PP-C6预置数功能的集成计数器2019/10/19 9:01:16
MSP3400C-PP-C6反馈清零法适用于有清零输入端的集成计数器。74LVC161具有异步清零功能,在其计数过程中,不管它的输出处于哪一状态,只要在异步清零输人端加一低电平电压,使cR△0,...[全文]
RK73B1JLTD121J触发器状态翻转的条件2019/10/18 23:44:29
RK73B1JLTD121J工作原理,表6.5.5所示是4位二进制计数器的状态表①。观察该表可以看出,Q。在每个计数脉冲到来时都要翻转一次;o1需要在O。=1时准各好翻转的条件,下一个计数脉冲沿...[全文]
TDA8926JN1序列编码检测器2019/10/17 20:55:35
TDA8926JN1画出逻辑图,并检查自启动能力,根据激励方程组町画出逻辑图,如图6.3,4所示。图中,各触发器的直接置0端为低电平有效,如果系统没有复位信号,电路的REsEr输人端应保持为高电...[全文]
TC544200F-150脉冲电平敏感的锁存器2019/10/16 12:24:27
TC544200F-150在Venlog中,对脉冲电平敏感的锁存器和脉冲边沿敏感的触发器的描述语句是不同的,这一点将在5.5节中说明.正因为如此,能或时钟信号的不同响应这里要特别强调锁存器与触发...[全文]
PIC17C756AT-16/L 双稳态的概念2019/10/14 13:28:37
PIC17C756AT-16/L为了建立双稳态的概念,可用图5.1.1所示的物理模型来进行模拟。模型的主体为一峰形物。另用一小球的位置来表示两种稳态(0,1)和一种介稳态①(峰顶)。若小球原处在...[全文]
IDT74FCT807BTPYG可编程的与阵列2019/10/13 17:53:29
IDT74FCT807BTPYGPROM的基本电路结构(b)PLA的基本电路结构(c)PAL的基本电路结构PROM系ProgrammableReadonlyMemo呼的缩写,译为可...[全文]
CMF508K2500FHEB快闪叠栅MOs管开关2019/10/13 17:40:25
CMF508K2500FHEB快闪叠栅MOs管的结构及符号如图4.5.7所示。它与SIMOs管结构类似。两者最大的区别在于快闪叠栅MOS管的浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOs管的更薄。因此...[全文]
MC74LS125 电路或图腾柱2019/10/12 17:52:23
MC74LS125由于基本BJT反相器的动态性能不理想,为改善其动态性能,增加若干元器件构成TTL反相器的基本电路,如图3.2.4所示。该电路由三部分组成,TI组成电路的输入级,T3、T4和二极...[全文]
ERJ-8ENF4 常用增强型器件2019/10/11 20:51:29
ERJ-8ENF4MOS数字集成电路的发展经历了由PMOs、NMOs到CMOS的过程,其中PMOs电路问世最早。PMOS管以空穴作为载流子,NMOs管以电子作为载流子,而空穴的迁移率比电子低,因...[全文]
0713086110 上拉电阻的计算2019/10/10 22:47:39
0713086110除了可以实现线与的逻辑功能外,0D门常用来驱动发光二极管或TTL系列逻辑门电路等。上拉电阻的计算,选择上拉电阻Rp的值时要考虑多种因素。一方面,从上面分析可知,...[全文]
LTC2909ITS 数制2019/10/9 19:40:23
LTC2909ITS数字电路与数字信号试以表1.1.1所列的数字集成电路的分类为依据,指出下列IC器件属于何种集成度器件:(1)微处理器;(2)计数器;(3)加法器;...[全文]
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